تکنولوژی فوق که توسط دو کمپانی توسعه داده شده است به این صورت است که با ایجاد چند لایه‌ی ظریف، ظرفیت چیپست های ساخته شده با تکنولوژی NAND را تا سه برابر افزایش می‌دهند. همین هم باعث می‌شود در یک فضای کوچک مقدار داده‌ی بیشتری ذخیره شود که علاوه بر صرفه جویی در هزینه، کارایی بالاتری نیز خواهد داشت.

تفاوت اصلی این فناوری در سلول های بنیادی حافظه‌ی هارد ها می‌باشد. اینتل و میکرون در ساخت این هارد ها از ترانزیستور های معروف floating gate استفاده کرده اند که برای اولین بار برای ساخت فلش های ۳D NAND مورد استفاده قرار می‌گیرند. شرکت میکرون  مدعی شده است که می‌توانند حافظه های SSD که به درگاه PCIe متصل می‌شوند را حجم ۳.۵ ترابایت و با ابعادی در حد آدامس و همچنین حافظه ۲.۵ اینچی با ظرفیت ۱۰ ترابایت نیز حتی رونمایی کند.

با توجه به اینکه سامسونگ هم قصد دارد از چنین فناوری هایی برای حافظه های خود استفاده کند، به زودی شاهد حافظه های ذخیره سازی بیشتری خواهیم بود.

منبع:گجت نیوز